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前英特尔 CEO 基辛格押注新 AI 内存:Z2RAM 拟绕开 EUV 光刻,4 年内送样

IT之家 10 月 28 日消息,科技媒体 semiconleadersasia 于昨日(10 月 27 日)发布博文指出,前英特尔首席执行官帕特·基辛格(Pat Gelsinger)正通过风投机构 Playground Global,对内存初创公司 Nagare Labs 进行投资,支持其开发新一代存储技术 Z2RAM。

该公司近期完成了由 Playground Global 领投的 500 万美元(IT之家注:按当前汇率约合 3,340.5 万元人民币)种子轮融资,目标在于开发一种兼具 SRAM 速度与 DRAM 密度的 AI 计算内存,以缓解“内存墙”瓶颈。

Z2RAM 由佐治亚理工学院研究者苏曼·达塔与于世萌共同创立的 Nagare Labs 研发,采用氧化物半导体材料,并计划通过 3D 混合键合技术直接集成在逻辑芯片上方。

Z2RAM 的核心卖点在于使用标准后端工艺(BEOL),无需极紫外光刻(EUV)即可通过单次曝光形成多层存储结构,这有望提升存储密度,同时降低制造复杂度和成本。

与依赖电容存储电荷的传统 DRAM 不同,Z2RAM 采用基于晶体管的存储单元,支持非破坏性读取,因此有望降低访问延迟。初创公司还计划像 NAND 闪存那样垂直堆叠存储单元,其初期实现方案的目标比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上。

不过,这项技术目前仍处于实验室原型阶段。Nagare Labs 正在寻找研发制造合作伙伴,以突破大学洁净室的产能限制;公司计划在四年内推出可工作的 Z2RAM 内存芯片样品,并在未来十年内实现商业化交付。

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    陈志远

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